BJT VCE 전압 값에 따라 아래와 같이 3가지 영역으로 구분됩니다. 1. 포화영역 (saturation) - 0v 0.7V - VBE: 순방향, VBC: 역방향 - Ic 는 IB에 의존 (Ic= 베타DC * IB) - VCE 전압이 계속 증가 하더라도 Ic 일정함. (IB가 일정할 때) 3. 항복영역 (breakdown) - VCE Max. - BC 사이의 강한 역방향 바이어스전압으로 인해 Ic 전류가 급격하게 상승함. - breakdown 발생

트랜지스터의 직류 부하선은 구해보면 다음과 같습니다. - Cutoff 지점 : Ic= 0, Vce = Vcc 인 차단점 - SaturationCutoff 지점 : Ic = Ic(sat), Vce= Vce(sat) 인 포화점 이 2지점을 연결한 선을 직류 부하선이라고 합니다. 이 직류 부하선은 TR의 동작 영역 중 활성영역을 표현합니다.

BJT 의 직류전압해석에 대해 알아보겠습니다. 직류 전압 전자회로에서 해석하는 방법입니다. 전류, 전압, 바이어스를 다음과 같이 볼 수 있습니다. ① 전류 : IE, IC, IB② 전압 : VBE, VCB, VCE③ 바이어스 : VBB, VCC VBE = 0.7V - pn접합의 문턱전압으로 약 0.7V이 적용됩니다. Base 전류 값은 다음과 같습니다.IB = (VBB-VBE)/RB컬렉터-이미터 전압은 다음과 같습니다.VCE = VCC-IC*RC = VCC–(βDC*IB)RC 컬렉터-베이스 전압은 다음과 같습니다.VCB = VCE–VBE 이미터 전류는 컬렉터 전류와 다음과 같이 해석할 수 있습니다.IE = IC(

이번에는 트랜지스터 (TRANSISTOR) 에 대해 알아보겠습니다. 트랜지스터는 P형 반도체, N형 반도체 조합으로 2가지 형태로 정의됩니다. 1. BJT (Bipolar Junction Transistor) - P형 반도체와 N형 반도체를 교대로 접합한 3층의 반도체 소자 - 그 조합에 따라 PNP형과 NPN형 트랜지스터가 있습니다. - BJT의역할: 증폭작용과스위칭 - BJT는 N형과 P형으로 도핑된 3개의 반도체를 이용하여 구성 - 영역 : 이미터(Emitter), 베이스(Base), 컬렉터(Collector) - BJT는 이미터, 베이스, 컬렉터의 도핑 형태에 따라 NPN형과 PNP형으로 나눔 - 도핑농도: 이미터> 컬렉터> 베이스 - BJT의 활성 ◎ BJT에 적절한 바이어스를 가하면 전류가 흐..